[1]范勇,陈东,王欢,等.PI/Mg(OH)2纳米复合薄膜的介电性能[J].哈尔滨理工大学学报,2014,(02):111-114.
 FAN Yong,CHEN Dong,WANG Huan,et al.[J].哈尔滨理工大学学报,2014,(02):111-114.
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PI/Mg(OH)2纳米复合薄膜的介电性能()
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《哈尔滨理工大学学报》[ISSN:1007-2683/CN:23-1404/N]

卷:
期数:
2014年02期
页码:
111-114
栏目:
材料科学与工程
出版日期:
2014-04-25

文章信息/Info

作者:
范勇; 陈东; 王欢; 王黑龙
哈尔滨理工大学材料研究与应用黑龙江省高校重点实验室;
Author(s):
 FAN Yong;CHEN Dong;WANG Huan;WANG Hei-long
Material Research and Application Key Laboratory of Heilongjiang Provincial University,Harbin University of Science and Technology;
关键词:
 聚酰亚胺 纳米氢氧化镁 电导电流 电老化阈值 介电系数 【文内图片】
分类号:
TM215.3
文献标志码:
A
摘要:
 采用原位聚合法制备了聚酰亚胺(PI)/氢氧化镁(Mg(OH)2)纳米复合薄膜,设定Mg(OH)2掺杂量的质量分数分别为0%,1%,2%,4%和8%,研究纳米氢氧化镁不同掺杂量对聚酰亚胺薄膜电导电流、电老化阈值、介电系数的影响.结果表明:纳米氢氧化镁掺杂量质量分数为4%时,复合薄膜的电导电流出现最大值;随着Mg(OH)2掺杂量的增加,复合薄膜的电老化阈值和介电系数均逐渐增大. 更多还原

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更新日期/Last Update: 2014-12-09